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为什么电脑开机时 屏幕上会出来一个内存诊断

归档日期:08-06       文本归类:诊断屏幕      文章编辑:爱尚语录

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  推荐于2018-11-02展开全部CMOS中关于内存的设置比较多,但不少选项是比较专业的,因此,如果设置后出现问题,请选择“LOAD BIOS DEFAULTS”,恢复可靠的设置参数。下面逐条说明相关内存设置。

  Above 1MB Memory Test:设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌,电脑用户安装内存容量陡然增加,开机时的大容量内存自检时间太长,今后,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

  Auto Configuration:设置为允许时,BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时,因此会禁止一些对内存设置的修改,建议选择允许方式。

  Memory Test Tick Sound:是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦,可以关闭它们。

  Memory Parity Error Check:设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代,已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

  Shadow RAM Option:设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度,但也可能造成死机。

  Internal Cache Memory:是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

  External Cache Memory:是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现,使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

  Concurrent Refresh:直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新,可以提高系统性能。

  DRAM Read Wait State:设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

  DRAM Write Wait State:设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

  Slow Refresh:对质量好的内存,保持数据的时间比较长,可以设置更长的时间周期,从而提高系统性能。

  RAS Timeout Counter:使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期,因此采用计数器来监视RAS周期,一旦超过RAS周期,则将周期 自动复位为0。

  Memory Hole:有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用,可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止,除非ISA扩展卡有专门的说明。

  Fast RAS To CAS Delay:行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。

  DRAM Speculative Read:设置成允许时,读内存的时间比正常时间提前一个时间周期,可以提高系统性能。

  Refresh RAS Assertion:设置内存的行地址刷新时间周期,对质量好的内存可以延迟刷新,从而提高系统性能。

  Fast EDO Path Select:设置选择对EDO内存读/写的快速途径,可以提高系统性能。

  SDRAM RAS Latency:设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。

  SDRAM RAS Timing:设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间,也即刷新时间。

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